單項(xiàng)選擇題原位雙剪法在測(cè)區(qū)內(nèi)選擇測(cè)點(diǎn)是,試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為()。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時(shí),應(yīng)根據(jù)測(cè)試儀表的校驗(yàn)結(jié)果,進(jìn)行荷載換算,并應(yīng)精確到()。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
2.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測(cè)量被測(cè)灰縫的受剪面尺寸,應(yīng)精確到()。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
3.單項(xiàng)選擇題原位單剪法在選定的墻體上,現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強(qiáng)度等級(jí)不應(yīng)低于()。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
4.單項(xiàng)選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備,在檢測(cè)前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表,其示值相對(duì)誤差不應(yīng)大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
5.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測(cè)試部位宜選在窗洞口或其他洞口下()磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題