單項選擇題原位雙剪法以下哪一部位可以布設(shè)測點(diǎn)（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側(cè)邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側(cè)邊130mm
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1.單項選擇題原位雙剪法在測區(qū)內(nèi)選擇測點(diǎn)是，試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
2.單項選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時，應(yīng)根據(jù)測試儀表的校驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)行荷載換算，并應(yīng)精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
3.單項選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸，應(yīng)精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
4.單項選擇題原位單剪法在選定的墻體上，現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強(qiáng)度等級不應(yīng)低于（）。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
5.單項選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備，在檢測前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表，其示值相對誤差不應(yīng)大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題