下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

在光線(xiàn)作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

PN結(jié)的基本特性是（）