單項選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點時應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個
B.6個
C.8個
D.10個
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1.單項選擇題原位軸壓法的特點不包括（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性，可比性強
D.設(shè)備較輕
2.單項選擇題點荷法試件破壞后應(yīng)拼接成原樣，并測量荷載作用半徑，應(yīng)精確到（）。
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
3.單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)的檢測內(nèi)容主要有強度和施工質(zhì)量，其中強度不包括（）。
A.塊材強度
B.砂漿強度
C.抹灰強度
D.砌體強度
4.單項選擇題點荷法制備試件，應(yīng)在砂漿試件上畫出作用點，并應(yīng)量測其厚度，應(yīng)精確至（）。
A.0.05mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.0.1mm
5.單項選擇題點荷法所用壓力試驗機鋼質(zhì)加荷頭圓錐體內(nèi)角應(yīng)為（）度。
A.30
B.45
C.60
D.75
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題