單項(xiàng)選擇題檢測數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計(jì)離群值，應(yīng)按《GB/T4883》中有關(guān)檢驗(yàn)法檢出和剔除，檢出水平a應(yīng)?。ǎ?/strong>
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
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1.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點(diǎn)的間距不應(yīng)小于（），每一彈擊點(diǎn)應(yīng)只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
2.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置（）彈擊點(diǎn)，選定彈擊點(diǎn)時(shí)應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)
3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法的特點(diǎn)不包括（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性，可比性強(qiáng)
D.設(shè)備較輕
4.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)荷法試件破壞后應(yīng)拼接成原樣，并測量荷載作用半徑，應(yīng)精確到（）。
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
5.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)的檢測內(nèi)容主要有強(qiáng)度和施工質(zhì)量，其中強(qiáng)度不包括（）。
A.塊材強(qiáng)度
B.砂漿強(qiáng)度
C.抹灰強(qiáng)度
D.砌體強(qiáng)度
最新試題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題