A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
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A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強(qiáng)度
D、泌水
A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長(zhǎng)率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
A、塊體與砂漿的強(qiáng)度等級(jí)
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動(dòng)性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
A、高強(qiáng)度
B、低收縮
C、慢硬、晚強(qiáng)
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴(yán)禁擾動(dòng)試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動(dòng)現(xiàn)象時(shí),應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時(shí)應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()