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A.檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用原位軸壓法
B.檢測砌體抗剪強(qiáng)度可采用原位單剪法、原位雙剪法
C.檢測砌體抗壓強(qiáng)度可用用原位軸壓法、扁頂法、切制抗壓試件法
D.檢測砌筑塊體抗壓強(qiáng)度可采用燒結(jié)磚回彈法、取樣法
A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時(shí)間
C.進(jìn)一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列是晶體的是()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()