載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列是晶體的是（）。 

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）