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NPN晶體管電流增益小，集電極串聯(lián)電阻大，NPN管的C極只能接固定電位。
P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。
電阻率過大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴大飽和壓降，若過小耐壓低，結(jié)電容增大，且外延時下推大。
減小集電極串聯(lián)電阻，減小寄生PNP管的影響。
最新試題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
倒裝芯片的連接方式有（）。
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
以下不屬于打碼目的的是（）。
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯誤的是（）。
下列對焊接可靠性無影響的是（）。
下面關(guān)于BGA的特點，說法錯誤的是（）。
凸點的制作技術(shù)有（）。