多項(xiàng)選擇題?Si3N4薄膜的用途有（）。

A.淺槽隔離的CMP停止層
B.最終鈍化膜和機(jī)械保護(hù)膜
C.MOSFETs中的側(cè)墻
D.選擇性氧化的掩蔽膜


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1.多項(xiàng)選擇題實(shí)現(xiàn)CVD工藝保形覆蓋的關(guān)鍵因素有（）。

A.表面遷移
B.直接入射
C.再發(fā)射
D.到達(dá)角

2.多項(xiàng)選擇題CVD制備SiO2的方法有（）。

A.中溫LPCVD
B.低溫APCVD
C.低溫PECVD
D.低溫LPCVD

3.多項(xiàng)選擇題金屬W（鎢）的用途有（）。

A.局部互連
B.全局互連
C.鎢插塞
D.柵極

4.多項(xiàng)選擇題下列屬于多晶硅薄膜的特性有（）。

A.擴(kuò)散系數(shù)明顯高于單晶硅
B.晶粒尺寸大的薄膜電阻率小
C.晶向唯一
D.電阻率遠(yuǎn)高于單晶硅

5.多項(xiàng)選擇題?LPCVD系統(tǒng)與PECVD系統(tǒng)相比，它們的相同點(diǎn)有（）。

A.產(chǎn)量低
B.可淀積Si3N4等
C.臺(tái)階覆蓋好
D.反應(yīng)控制