判斷題LOCOS工藝主要用于制作MOS管的柵氧結構。
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MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為()。
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無論是施加正偏壓還是反偏壓,MOS電容都是一種線性電容。
題型:判斷題
CMOS電路是通過有源區(qū)進行隔離的,屬于絕緣介質隔離。
題型:判斷題
顯影后,被曝光區(qū)域的光刻膠被去除,該種光刻膠稱為()。
題型:單項選擇題
集成電路的制造工藝,需要采用隔離技術,常見的隔離方法有()。
題型:多項選擇題
我們利用LOCOS技術制作MOS中的()。
題型:單項選擇題
反相器的版圖一般用到幾個pitch?()
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展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?()
題型:單項選擇題
用四端器件繪制電路圖時,NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是()。
題型:單項選擇題
在制作MOS管時,采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題