判斷題制作場氧區(qū)的時(shí)候,氮化硅的作用是作為LOCOS氧化時(shí)的掩蔽層。
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為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化,在集成電路中,經(jīng)常采用()工藝。
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用四端器件繪制電路圖時(shí),NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是()。
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外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括()。
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