判斷題制作MOS管結(jié)構(gòu)時(shí)，源漏雖然結(jié)構(gòu)完全對(duì)稱，但摻雜濃度不同。
您可能感興趣的試卷
最新試題
展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)稱。
題型：判斷題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會(huì)產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
題型：判斷題