MOS管版圖一般匹配原則有（）。

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡(jiǎn)寫(xiě)為（）。

集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見(jiàn)的隔離方法有（）。

CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會(huì)產(chǎn)生鳥(niǎo)嘴效應(yīng)。

版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來(lái)實(shí)現(xiàn)器件連接？（）

無(wú)論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）

一個(gè)四輸入的或非門(mén)，一般采用幾個(gè)pitch？（）