無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）

集成電路版圖物理驗(yàn)證必須要做的步驟主要有哪些？（）

為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。

在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會(huì)產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡(jiǎn)寫為（）。

CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。

集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。