單項選擇題LPCVD-SiO2，將工藝控制在較高溫度，有：ks>hg，此時淀積速率的特點為（）
A.反應劑氣體濃度的變化對淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會對淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質量輸運控制
D.淀積速率受表面化學反應控制
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1.單項選擇題在已擴散結深達0.8μm的p-Si上再進行濕氧，氧化層厚0.2μm時，結深是多少（）
A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm
3.多項選擇題關于離子注入區(qū)形成非晶層的臨界劑量，下面哪幾種說法正確（）
A.靶溫升高，臨界劑量上升
B.注入離子越輕，臨界劑量越小
C.注入離子劑量率增大，臨界劑量降低
D.注入離子能量越高，臨界劑量越低
4.多項選擇題擴散系數在何時不可以看成是常數（）
A.在本征硅上擴散摻入中等濃度的雜質硼
B.在重摻雜p型硅上擴散摻入n型雜質
C.在中等濃度p型硅上擴散摻入n型雜質
D.在本征硅上擴散摻入高濃度的雜質硼，同時進行氧化
5.單項選擇題擴散摻雜，擴散區(qū)要比掩膜窗口尺寸（），這是（）效應引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。
A.大，場助擴散
B.大，橫向擴散
C.小，橫向擴散
D.大，氧化增強