STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

版圖繪制應(yīng)該在哪個視圖中進行？（）

以下工藝中，方塊電阻是一個重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。

MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡稱。

光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。

未進行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

MOS管版圖一般匹配原則有（）。

MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實現(xiàn)的是什么邏輯？（）

為了實現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。