刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。