下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。