問(wèn)答題簡(jiǎn)述干法刻蝕的應(yīng)用：氣體組成及作用？
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述刻蝕的要求
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3.問(wèn)答題什么樣的光刻設(shè)備對(duì)應(yīng)的過(guò)程是怎樣的？
5.問(wèn)答題光刻過(guò)程需要哪八大步驟？每個(gè)步驟的作用？
最新試題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
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摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
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消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
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CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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