雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）