下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）