影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

硅片拋光在原理上不可分為（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）