如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。