最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題