下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。