在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

下列是晶體的是（）。 

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）