碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

光刻工藝的特點包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。