問答題常見的終點檢測設(shè)備有那些？
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最新試題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
題型：多項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題