問答題ULSI對多層互連系統(tǒng)的要求?
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硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
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互連工藝中AL的制備可選用()。
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新的平坦化方法有哪幾個?()
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注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
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下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
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刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題