濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。