硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。