多項選擇題只考慮柵極電容時，若設(shè)最小晶體管電容為基本 單位，則有（）。

A.最小反相器的輸入電容為2
B.最小NOR2的輸入電容為4
C.最小NAND的輸入電容為3
D.標(biāo)準(zhǔn)門的輸入電容為6


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1.多項選擇題關(guān)于CMOS數(shù)字集成電路中邏輯單元的功耗，下列說法哪些是正確的？（）

A.主要為動態(tài)功耗
B.與器件單元中的電容總量正比
C.與發(fā)生狀態(tài)變化的電容總量正比
D.與單位時間內(nèi)的狀態(tài)變化次數(shù)正比

2.多項選擇題信號傳遞路徑上某個節(jié)點導(dǎo)致的時間延遲主要與下列因素有關(guān)（）。

A.該節(jié)點連接的器件數(shù)量
B.該節(jié)點連接的輸入電容數(shù)量
C.該節(jié)點所具有的電平狀態(tài)
D.該節(jié)點所獲得的驅(qū)動能力

3.多項選擇題關(guān)于數(shù)字電路中的信號傳遞延遲，下列哪些說法是正確的？（）

A.信號傳遞延遲主要由路徑上的電容影響
B.信號傳遞延遲主要由電荷的移動速度影響
C.信號傳遞過程需要為相應(yīng)路徑上電容進行充放電，需要花費時間
D.信號傳遞過程電荷需要通過較長連接線，需要花費時間

5.多項選擇題集成電路的對等性設(shè)計要求（）。

A.高電平輸出電阻與低電平輸出電阻相同
B.輸出高電平容限與輸出低電平容限相同
C.高電平輸出電流與低電平輸出電流相同
D.高電平驅(qū)動能力與低電平驅(qū)動能力相同