多項選擇題關(guān)于數(shù)字電路中的信號傳遞延遲,下列哪些說法是正確的?()

A.信號傳遞延遲主要由路徑上的電容影響
B.信號傳遞延遲主要由電荷的移動速度影響
C.信號傳遞過程需要為相應(yīng)路徑上電容進(jìn)行充放電,需要花費時間
D.信號傳遞過程電荷需要通過較長連接線,需要花費時間


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2.多項選擇題集成電路的對等性設(shè)計要求()。

A.高電平輸出電阻與低電平輸出電阻相同
B.輸出高電平容限與輸出低電平容限相同
C.高電平輸出電流與低電平輸出電流相同
D.高電平驅(qū)動能力與低電平驅(qū)動能力相同

3.多項選擇題采用集成塊在印制板上進(jìn)行連線設(shè)計通常屬于()。

A.SSI設(shè)計
B.MSI設(shè)計
C.VLSI設(shè)計
D.基于FPGA的可編程設(shè)計

4.多項選擇題提高數(shù)字電路的集成度可以帶來哪些效果?()

A.可能導(dǎo)致電路可靠性下降
B.可能導(dǎo)致數(shù)字系統(tǒng)的成本提高
C.可能導(dǎo)致電路抗干擾性提高
D.可能導(dǎo)致數(shù)字系統(tǒng)的運算速度提高

5.多項選擇題關(guān)于對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND3,下列說法中,哪些是錯誤的?()

A.對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND3,若每個MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同,當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時,高電平驅(qū)動能力與低電平驅(qū)動能力相同
B.對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND3,若每個MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同,當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時,高電平驅(qū)動能力是低電平驅(qū)動能力的3倍
C.對CMOS結(jié)構(gòu)的NAND3,若每個MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同,當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時,低電平驅(qū)動能力是高電平驅(qū)動能力的3倍
D.對CMOS結(jié)構(gòu)的NOR3,若每個MOS器件的導(dǎo)通電阻完全相同,當(dāng)高電平容限與低電平容限相同時,高電平驅(qū)動能力是低電平驅(qū)動能力的3倍