A.同化
B.順應(yīng)
C.圖式
D.平衡
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A.感知運(yùn)動(dòng)階段
B.前運(yùn)算階段
C.具體運(yùn)算階段
D.形式運(yùn)算階段
A.陳述性知識(shí)學(xué)習(xí)
B.程序性知識(shí)學(xué)習(xí)
C.策略性知識(shí)學(xué)習(xí)
D.操作性知識(shí)學(xué)習(xí)
A.上位學(xué)習(xí)
B.下位學(xué)習(xí)
C.并列結(jié)合學(xué)習(xí)
D.符號(hào)學(xué)習(xí)
A.華生
B.杜威
C.布魯納
D.布盧姆
A.高等
B.中等
C.一般
D.低等
最新試題
回憶是構(gòu)成記憶過程的第一個(gè)環(huán)節(jié)。
學(xué)生在做問答題時(shí)所使用的記憶過程主要是()
痕跡衰退說是一種對(duì)遺忘原因的最古老的解釋,它起源于亞里士多德,由桑代克進(jìn)一步發(fā)展。
短時(shí)記憶的特點(diǎn)包括()
視覺聯(lián)想主要是通過運(yùn)用聯(lián)想、假借意義來幫助人們對(duì)聯(lián)系的記憶。
艾賓浩斯遺忘曲線說明遺忘的發(fā)展是不均衡的,其規(guī)律是先快后慢,呈負(fù)加速型。
研究表明,學(xué)習(xí)的熟練程度達(dá)到150%時(shí),記憶效果最好。
一般情況下,綜合識(shí)記的效果優(yōu)于整體識(shí)記,整體識(shí)記的效果優(yōu)于部分識(shí)記。
學(xué)習(xí)記憶比較長的材料,中間部分的內(nèi)容記憶的效果差,是由于受到前攝抑制和倒攝抑制干擾的影響。
短時(shí)記憶的容量大約是()