單項(xiàng)選擇題以下封裝方式擁有最高封裝密度的是（）。
A.倒裝焊
B.熱壓鍵合
C.引線鍵合
D.載帶自動(dòng)焊
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1.多項(xiàng)選擇題陶瓷熔封雙列直插式封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其三個(gè)基本零部件為（）。
A.陶瓷框架
B.封裝蓋板
C.粘接底座
D.鍵合引線
2.單項(xiàng)選擇題載帶球柵陣列封裝所用的焊球，其成分為（）。
A.65%Sn-35%Pb
B.10%Sn-90Pb
C.35%Sn-65%Pb
D.90%Pb-10%Sn
3.單項(xiàng)選擇題以下封裝方式中，具有工業(yè)自動(dòng)化程度高、工藝簡(jiǎn)單、容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的封裝形式為（）。
A.多層陶瓷雙列直插式封裝
B.塑料單列直插式封裝
C.塑料雙列直插式封裝
D.陶瓷熔封雙列直插式封裝
4.單項(xiàng)選擇題金屬封裝所使用的的材料除了可達(dá)到良好的密封性之外，還可提供良好的熱傳導(dǎo)及（）。
A.抗腐蝕
B.保護(hù)
C.電屏蔽
D.支撐
5.單項(xiàng)選擇題陶瓷封裝工藝首要的步驟是漿料的制備，漿料成分包含了無(wú)機(jī)材料和（）。
A.玻璃粉末
B.有機(jī)材料
C.塑料顆粒
D.陶瓷粉末
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
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摻雜后，退火的目的是（）。
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CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題