最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:單項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:單項(xiàng)選擇題