問(wèn)答題光學(xué)光刻技術(shù)的改進(jìn)有哪些方面?
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4.問(wèn)答題當(dāng)分辨率增加時(shí)焦深會(huì)發(fā)生什么變化?
5.問(wèn)答題寫(xiě)出計(jì)算焦深的公試。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
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鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題