問(wèn)答題刻蝕的目的是什么？
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1.問(wèn)答題列舉下一代光刻技術(shù)中4種正在研發(fā)的光刻技術(shù)。
2.問(wèn)答題光學(xué)光刻技術(shù)的改進(jìn)有哪些方面？
3.問(wèn)答題為什么要進(jìn)行顯影后檢查？
4.問(wèn)答題解釋光刻膠選擇比，要求的比例是高還是低？
5.問(wèn)答題使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成圖形的不透明材料是什么？
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題