•建立濃度差 •雜質(zhì)擴(kuò)散至合適的結(jié)深 •雜質(zhì)與硅原子成鍵
最新試題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
新的平坦化方法有哪幾個?()
常壓的硅外延方法有()。
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
金屬化中可選用的金屬材料有()。
摻雜后,退火的目的是()。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。