集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.03.06)

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1.問(wèn)答題為什么采用AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)制造的雙極型晶體管（HBT）具有好的性能？

異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管的發(fā)射極效率主要由禁帶寬度差決定，幾乎不受摻雜比的限制

2.問(wèn)答題對(duì)NMOS晶體管，注入何種雜質(zhì)使閾值電壓增加或降低？

P型雜質(zhì)增加、N型雜質(zhì)降低。

3.問(wèn)答題施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的含義是什么？

參考答案：在晶體中電離時(shí)能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心的雜質(zhì)為施主雜質(zhì)；
在晶體中電離時(shí)能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電...

4.問(wèn)答題集成電路設(shè)計(jì)需要哪些知識(shí)范圍？

系統(tǒng)知識(shí)，電路知識(shí)，工具知識(shí)，工藝知識(shí)

5.問(wèn)答題形成微帶線的基本條件是什么？

介質(zhì)襯底的背面應(yīng)該完全被低歐姆金屬覆蓋并接地，使行波的電場(chǎng)主要集中在微帶線下面的介質(zhì)中。

6.問(wèn)答題NMOS晶體管可分為哪種類型？

增強(qiáng)型NMOS和耗盡型NMOS。

7.問(wèn)答題在CMOS電路里，MOS管一般采用何種類型？

增強(qiáng)型

8.問(wèn)答題濺射法的含義是什么？

利用等離子體轟擊被濺射物質(zhì)使其分子或原子逸出，淀積到基片表面形成薄膜

9.問(wèn)答題制作硅柵具體步驟是什么？

生長(zhǎng)緩沖層、溝道區(qū)注入、離子注入、CVD工藝淀積多晶硅、多晶硅摻雜、光刻和刻蝕形成多晶硅柵的圖形。

10.問(wèn)答題哪種BiCMOS工藝用的較多？為什么？

雙極工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝用的多
影響B(tài)iCMOS器件性能的主要部分是雙極部分。