單項選擇題在超大規(guī)模集成電路工藝中，一般只采用（）。
A.負膠
B.正膠
C.光刻膠
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1.單項選擇題光刻要求晶圓片表面存在的圖案與掩膜版上的圖形對準，此特性指標稱為（）。
A.套準精度
B.特征尺寸
C.分辨率
D.工藝寬容度
2.單項選擇題
晶圓加工的基本流程順序為（）。
（1）切片
（2）外形整理
（3）研磨
（4）倒角
（5）清洗
（6）拋光
A.（1）（2）（3）（4）（5）（6）
B.（2）（1）（4）（3）（6）（5）
C.（1）（2）（4）（3）（5）（6）
D.（2）（1）（3）（4）（6）（5）
3.單項選擇題下面哪種方式也稱為濕法去膠？（）
A.等離子去膠
B.溶劑去膠
C.氧化去膠
D.三氯乙烯去膠
4.單項選擇題
下圖屬于什么光刻機？（）
A.接觸式光刻機
B.步進掃描光刻機
C.分布重復光刻機
D.接近式光刻機
5.單項選擇題對于0.25um及以下的隔離技術采用以下（）方式。
A.局部氧化隔離
B.PN結隔離
C.PN結-介質隔離
D.淺槽隔離
最新試題
電子封裝是指對電路芯片進行包裝，進而保護電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型：判斷題
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導致熱應力疲勞。
題型：判斷題
根據(jù)焊點的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項選擇題
使用3D封裝技術可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應用的關鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
QFP的結構形式因帶有引線框（L/F），對設定的電性能無法調整，而BGA可以通過芯片片基結構的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
下面選項中硅片減薄技術正確的是（）。
題型：單項選擇題
下面關于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
關于電子封裝基片的性質，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
凸點的制作技術有（）。
題型：多項選擇題