單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時，應(yīng)將磚樣切斷或鋸成兩個半截磚，每個半截磚長不得小于（），如果不足，應(yīng)另取備用磚補足。

A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm


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3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度精確至（），抗壓強(qiáng)度精確至（）。

A、0.1MPa，0.01MPa
B、0.01MPa，0.1MPa
C、0.01MPa，0.01MPa
D、0.1MPa，0.1MPa

10.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長度以在三個方向上分別測得的（）作為測量結(jié)果。

A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和

最新試題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型：單項選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

題型：單項選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：單項選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：單項選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

題型：單項選擇題

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

題型：單項選擇題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：單項選擇題

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

題型：單項選擇題

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

題型：單項選擇題

硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：單項選擇題