A、坍落度測(cè)量精確至1mm，坍落擴(kuò)展度測(cè)量精確至5mm
B、坍落度測(cè)量與坍落擴(kuò)展度測(cè)量均精確至1mm
C、坍落度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至1mm，坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至5mm
D、坍落度與坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)均修約至5mm
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A、坍落度大于220mm的砼拌合物，宜用坍落擴(kuò)展度法測(cè)定其稠度
B、用鋼尺測(cè)量砼擴(kuò)展后最終的最大直徑，作為坍落擴(kuò)展度值
C、用鋼尺測(cè)量砼擴(kuò)展后最終的最小直徑，作為坍落擴(kuò)展度值
D、擴(kuò)展后的最大直徑與最小直徑之差超過(guò)50mm時(shí)，試驗(yàn)無(wú)效
A、提筒后，測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)之間的高度差，作為坍落度值
B、提筒后，測(cè)量筒高與坍落后試體最低點(diǎn)之間的高度差，作為坍落度值
C、提筒后，測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)和最低點(diǎn)之間的高度差，取其平均值作為坍落度值
D、提筒后，應(yīng)在150s后測(cè)量坍落度值
A.試驗(yàn)前應(yīng)潤(rùn)濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動(dòng)棒振搗密實(shí)
D、頂層插搗完后，刮去多余的砼，并用抹刀抹平
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動(dòng)擴(kuò)展
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
A、插搗不均勻
B、提筒時(shí)歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）