A、適用于骨料粒徑不大于40mm的砼拌合物稠度測定
B、適用于骨料粒徑大于40mm的砼拌合物稠度測定
C、適用于坍落度不小于220mm的砼拌合物稠度測定
D、適用于維勃稠度在5~30s之間的砼拌合物稠度測定
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A、坍落度測量精確至1mm,坍落擴展度測量精確至5mm
B、坍落度測量與坍落擴展度測量均精確至1mm
C、坍落度試驗結果表達修約至1mm,坍落擴展度試驗結果表達修約至5mm
D、坍落度與坍落擴展度試驗結果表達均修約至5mm
A、坍落度大于220mm的砼拌合物,宜用坍落擴展度法測定其稠度
B、用鋼尺測量砼擴展后最終的最大直徑,作為坍落擴展度值
C、用鋼尺測量砼擴展后最終的最小直徑,作為坍落擴展度值
D、擴展后的最大直徑與最小直徑之差超過50mm時,試驗無效
A、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測量筒高與坍落后試體最低點之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點和最低點之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應在150s后測量坍落度值
A.試驗前應潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應分二層均勻地裝入坍落度筒內
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動棒振搗密實
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴展
D、A、B、C選項都對
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
改良西門子法的顯著特點不包括()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
下列是晶體的是()。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()