A、拌合物應(yīng)分三層均勻地裝入筒內(nèi)
B、每層用搗棒插搗12次
C、插搗應(yīng)沿螺旋方向由中心向外進(jìn)行
D、當(dāng)振動(dòng)到透明圓盤(pán)的底面被水泥漿布滿的瞬間停止計(jì)時(shí)
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A、適用于骨料粒徑不大于40mm的砼拌合物稠度測(cè)定
B、適用于骨料粒徑大于40mm的砼拌合物稠度測(cè)定
C、適用于坍落度不小于220mm的砼拌合物稠度測(cè)定
D、適用于維勃稠度在5～30s之間的砼拌合物稠度測(cè)定
A、坍落度測(cè)量精確至1mm，坍落擴(kuò)展度測(cè)量精確至5mm
B、坍落度測(cè)量與坍落擴(kuò)展度測(cè)量均精確至1mm
C、坍落度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至1mm，坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至5mm
D、坍落度與坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)均修約至5mm
A、坍落度大于220mm的砼拌合物，宜用坍落擴(kuò)展度法測(cè)定其稠度
B、用鋼尺測(cè)量砼擴(kuò)展后最終的最大直徑，作為坍落擴(kuò)展度值
C、用鋼尺測(cè)量砼擴(kuò)展后最終的最小直徑，作為坍落擴(kuò)展度值
D、擴(kuò)展后的最大直徑與最小直徑之差超過(guò)50mm時(shí)，試驗(yàn)無(wú)效
A、提筒后，測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)之間的高度差，作為坍落度值
B、提筒后，測(cè)量筒高與坍落后試體最低點(diǎn)之間的高度差，作為坍落度值
C、提筒后，測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)和最低點(diǎn)之間的高度差，取其平均值作為坍落度值
D、提筒后，應(yīng)在150s后測(cè)量坍落度值
A.試驗(yàn)前應(yīng)潤(rùn)濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動(dòng)棒振搗密實(shí)
D、頂層插搗完后，刮去多余的砼，并用抹刀抹平
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。