多項選擇題可以進行自校驗的砼力學性能試驗儀器設備有()。
A、壓力試驗機
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題應有周期計量檢定證書的砼力學性能試驗儀器設備包括有()。
A、壓力試驗機
B、砼振動臺
C、微變形測量儀
D、砼坍落度儀
2.多項選擇題砼力學性能試驗的儀器設備包括有()。
A、壓力試驗機
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測量儀
D、鋼板尺
3.多項選擇題砼力學性能試件的尺寸構造有公差要求的包括有()。
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質量
D、試件相鄰面的垂直度
4.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼抗折強度標準試件。
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
5.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件可用作砼抗折強度試件。
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ200×400mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
最新試題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題