A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)快凍法來(lái)測(cè)定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)慢凍法來(lái)測(cè)定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過(guò)25%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、3個(gè)試件的測(cè)值有出現(xiàn)負(fù)值的,應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過(guò)1%時(shí),取中間值作為測(cè)定值
C、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過(guò)1%時(shí),取中間值作為測(cè)定值
D、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過(guò)1%時(shí),試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
A、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過(guò)中間值的15%時(shí),取其余2個(gè)測(cè)值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測(cè)定值
B、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過(guò)中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
C、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過(guò)中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
D、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過(guò)中間值的15%時(shí),強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列是晶體的是()。
PN結(jié)的基本特性是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
硅片拋光在原理上不可分為()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()