A、一般規(guī)定
B、技術(shù)要求
C、試驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
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A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得少于冷凍時(shí)間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得大于冷凍時(shí)間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得少于融化時(shí)間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得大于融化時(shí)間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列是晶體的是()。