A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強(qiáng)度
D、吸水率和相對(duì)含水率
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A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時(shí);
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時(shí);
C、正常生產(chǎn)六個(gè)月時(shí)(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)
A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
A、原材料
B、要求
C、檢驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列是晶體的是()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
硅片拋光在原理上不可分為()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。