光刻工藝的特點包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）